Компания Samsung объявила о заключении сделки по покупке калифорнийской фирмы Grandis, специализирующейся на технологиях производства магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).

Память MRAM, хранящая информацию при помощи магнитных моментов, совмещает достоинства динамической и флеш-памяти. Микросхемы MRAM обладают небольшим временем доступа, являются энергонезависимыми и обеспечивают высокую скорость передачи данных. MRAM, как ожидается, в перспективе придёт на смену DRAM и NAND.

Компания Grandis занимается технологией переключения с помощью переноса спина (Spin-Transfer Torque, STT-RAM). Эта методика призвана решить проблемы, с которыми «классическая» технология MRAM будет сталкиваться при увеличении плотности размещения ячеек памяти и повышении тока записи.

Grandis была основана в 2002 году; её штат насчитывает около 25 сотрудников. Сообщается, что после завершения сделки Grandis войдёт в состав исследовательского подразделения Samsung R&D. Южнокорейская компания получит права на интеллектуальную собственность Grandis и сможет ускорить разработку памяти нового типа.